米乐M6官网电子发烧友企业号产品列表半导体电子元器件芯片产品资料Wolfspeed 的 CG2H40025 是无与伦比的；氮化镓 (GaN) 高电子迁移率晶体管 (HEMT)。CG2H40025；从 28 伏电压轨运行；提供通用的；适用于各种射频和微波应用的宽带解决方案。GaN HEMT 提供高效率；高增益和宽带宽能力；使 CG2H40025 成为线性和压缩放大器电路的理想选择。晶体管可旋入；法兰封装和焊接药丸封装。CG

　　Wolfspeed 的 CGHV27060MP 是一个 60-W 氮化镓 (GaN) 高电子迁移率晶体管 (HEMT)，封装在一个小型封装中；塑料 SMT 封装 4.4 毫米 x 6.5 毫米。晶体管是一种宽带器件，没有内部输入或输出匹配；这允许敏捷性适用于从 UHF 到 2.7 GHz 的广泛频率米乐M6。CGHV27060MP 是用于 UHF 脉冲应用的优秀晶体

　　D1023UK是TT Electronics镀金多用途硅 DMOS RF FET。 D1023UK特征• 简化的放大器设计• 适用于宽带应用• 低温RSS• 简单的偏置电路• 低噪声• 高增益 – 最小 16 dB 镀金多用途硅DMOS射频场效应管100W – 28V – 500MHz单端包裹：DP配置：单端工作电压：20V功率输出:128W最低效率：50获

　　Wolfspeed 的 CGHV40180 是一款氮化镓 (GaN) 高电子迁移率晶体管 (HEMT)。它具有无与伦比的输入，可在 DC-2.0 GHz 范围内提供最佳的瞬时宽带性能。GaN与硅或砷化镓相比具有优越的性能；包括更高的击穿电压；更高的饱和电子漂移速度和更高的热导率。与 Si 和 GaAs 晶体管相比，GaN HEMT 还提供更高的功率密度和更宽

　　描述PXAD184218FV 是一款采用非对称设计的 420 瓦 (P3dB) LDMOS FET，旨在用于 1805 至 1880 MHz 频段的多标准蜂窝功率放大器应用。特点包括双路径设计；输入输出匹配；带无耳法兰的高增益和热增强封装米乐M6。采用 Wolfspeed 先进的 LDMOS 工艺制造；该器件提供出色的热性能和卓越的可靠性。PXAD184218FV-

　　MACOM PH1090-175L是范围广泛的硅双极晶体管产品，专为 DC 至 3.5 GHz 的应用而设计。我们的硅双极晶体管非常适合民用航空电子设备、通信、网络、雷达以及工业米乐M6、科学和医疗应用。我们的全金金属化制造工艺可确保地面和太空应用的高性能和长期可靠性。PH1090-175L特征饱和输出功率：24 dBm符合 RoHS*尺寸：1800 x 2000

　　MAAVSS0001是一款宽带 PIN 二极管电压可变衰减器 (VVA)。该器件采用 MACOM 的 AlGaAs PIN 二极管技术设计和制造，非常适合高频、高线性度和高功率应用。此 MAAV-011014 VVA 具有最低的插入损耗，以及该频段可用的最高 P1dBMAAVSS0001特征插入损耗：10 dB宽衰减范围：

　　MRF1090MB专为短脉冲塔康、IFF和DME发射机中的B级和C级公共基极放大器应用而设计。MRF1090MB产品规格零件编号 MRF1090MB简短描述 微波脉冲功率硅NPN晶体管90W（峰值），960–1215MHz最小频率（MHz） 960最大频率（MHz） 1215偏压（V） 50普特（W） 90增益（dB） 8.40效

　　ABD100DC / ABD100DCF - 100W 分机。C波段上变频器 ABD100DC / ABD100DCF 规格输出接口 波导，CPR-137 G输出功率 +50 dBm 最低温度转换增益 标称 70 分贝所需 频率 外部参考输入功率相位噪声 10 MHz（正弦波）-5 至 +5 dBm @ 输入端口 -55

　　TQP7M9101产品简介Qorvo 的 TQP7M9101 是一款采用标准 SOT-89 表面贴装封装的高线性度驱动放大器。这种 InGaP / GaAs HBT 在很宽的频率范围内提供高性能，具有 +40 dBm OIP3 和 +25 dBm P1dB，同时仅消耗 87 mA 静态电流。所有设备均经过 100% RF 和 DC 测试。该器件集成了片上功能